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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
94
左右 -276% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
25
读取速度,GB/s
1,882.0
17.6
写入速度,GB/s
1,165.4
14.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
3297
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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