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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
94
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
55
读取速度,GB/s
1,882.0
9.3
写入速度,GB/s
1,165.4
7.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2078
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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