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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
94
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
40
读取速度,GB/s
1,882.0
13.8
写入速度,GB/s
1,165.4
10.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2340
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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