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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
94
左右 -309% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
23
读取速度,GB/s
1,882.0
16.2
写入速度,GB/s
1,165.4
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2442
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
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