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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

总分
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

总分
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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB 需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    31 left arrow 94
    左右 -203% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.8 left arrow 1,165.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    94 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    1,882.0 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    1,165.4 left arrow 10.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    305 left arrow 3109

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
内存RAM