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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.4
17.7
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3117
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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