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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.4
18.1
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3010
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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