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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
42
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
7.8
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3170
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
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