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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.4
17.0
写入速度,GB/s
7.8
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3422
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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