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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.4
18.4
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3222
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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