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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.4
18.0
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2769
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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