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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.4
19.6
写入速度,GB/s
7.8
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3774
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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