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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.4
10.3
写入速度,GB/s
7.8
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2235
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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