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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
13.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
7.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2276
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston KHX16 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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