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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.4
14.4
写入速度,GB/s
7.8
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2489
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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