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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
12.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3100
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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