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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
总分
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
14.0
16.0
写入速度,GB/s
9.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2330
2773
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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