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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
总分
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
总分
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
14.0
14.7
写入速度,GB/s
9.1
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2330
2169
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
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