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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
14.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
5,135.8
18.4
写入速度,GB/s
2,343.1
14.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3420
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
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