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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
5,135.8
18.0
写入速度,GB/s
2,343.1
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3593
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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