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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
5,135.8
15.6
写入速度,GB/s
2,343.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3164
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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