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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
42
读取速度,GB/s
5,135.8
14.3
写入速度,GB/s
2,343.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2074
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
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