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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
99
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,343.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
99
读取速度,GB/s
5,135.8
14.4
写入速度,GB/s
2,343.1
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
1386
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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