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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
5,135.8
15.9
写入速度,GB/s
2,343.1
15.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3264
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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