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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
5,135.8
15.7
写入速度,GB/s
2,343.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2865
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
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