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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
5,135.8
14.4
写入速度,GB/s
2,343.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2179
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
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