RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
5,135.8
15.1
写入速度,GB/s
2,343.1
11.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2950
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link