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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
13.6
15.5
写入速度,GB/s
7.8
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF186D.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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