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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.6
15.0
写入速度,GB/s
7.8
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2097
2288
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
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