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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
73
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
73
读取速度,GB/s
14.0
14.5
写入速度,GB/s
8.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1736
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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