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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
45
读取速度,GB/s
14.0
11.4
写入速度,GB/s
8.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2281
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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