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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
14.0
12.0
写入速度,GB/s
8.5
5.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1925
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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