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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
14.0
12.6
写入速度,GB/s
8.5
6.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
1970
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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