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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
41
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
32
读取速度,GB/s
14.0
10.8
写入速度,GB/s
8.5
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2318
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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