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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
17.8
13.7
写入速度,GB/s
10.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
2792
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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