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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
总分
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.8
15.5
写入速度,GB/s
10.0
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2771
2496
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
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