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A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB vs A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
41
读取速度,GB/s
14.6
14.0
写入速度,GB/s
9.0
8.5
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2436
2324
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB RAM的比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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