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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
16.8
19.4
写入速度,GB/s
11.5
16.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
3735
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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