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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
16.8
17.6
写入速度,GB/s
11.5
12.0
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3019
2910
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
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