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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
71
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
71
读取速度,GB/s
4,315.2
14.8
写入速度,GB/s
1,925.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
1866
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM的比较
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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