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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
总分
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,925.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
29
读取速度,GB/s
4,315.2
20.0
写入速度,GB/s
1,925.7
15.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
658
3713
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
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