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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
66
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
32
读取速度,GB/s
2,775.5
11.4
写入速度,GB/s
1,557.9
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2804
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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