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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 -144% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
27
读取速度,GB/s
2,775.5
13.5
写入速度,GB/s
1,557.9
6.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2172
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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