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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
15.8
写入速度,GB/s
1,557.9
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2971
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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