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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
14.7
写入速度,GB/s
1,557.9
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3012
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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