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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
16.0
写入速度,GB/s
1,557.9
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2793
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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