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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
66
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
21
读取速度,GB/s
2,775.5
18.5
写入速度,GB/s
1,557.9
14.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3350
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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