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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 66
    左右 -154% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.1 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 14.1
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 11.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2646

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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