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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,775.5
16.2
写入速度,GB/s
1,557.9
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3299
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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