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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 66
    左右 -78% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2836

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
内存RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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